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Référence fabricant
FDMC8200
FDMC8200 Series 30 V 8 A/12 A SMT Dual N-Ch PowerTrench® MOSFET - POWER-33
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :MLP-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
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onsemi FDMC8200 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
ECCN:
Informations PCN:
Statut du produit:
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=FDMC8200&field4=onsemi&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/fdmc8200-onsemi-2027282
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onsemi FDMC8200 - Caractéristiques techniques
| Fet Type: | Dual N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 20mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 700|mW |
| Style d'emballage : | MLP-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The FDMC8200 is a 30 V Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET device includes two specialized N-Channel MOSFETs in a dual Power33 (3mm x 3mm MLP) package.
The switch node has been internally connected to enable easy placement and routing of synchronous buck converters. The control MOSFET (Q1) and synchronous MOSFET (Q2) have been designed to provide optimal power efficiency
Features:
- Back to TopQ1: N-Channel
- Max rDS(on) = 20 mO at VGS = 10 V, ID = 6 A
- Max rDS(on) = 32 mO at VGS = 4.5 V, ID = 5 A Q2: N-Channel
- Max rDS(on) = 9.5 mO at VGS = 10 V, ID = 9 A
- Max rDS(on) = 13.5 mO at VGS = 4.5 V, ID = 7 A
- RoHS compliant
Applications:
- Automation
- Consumer Appliances
- Building & Home Control
- Medical Electronics/Devices
- Military & Civil Aerospace
View the complete family of N-channel mosfets
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
MLP-8
Méthode de montage :
Surface Mount