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Référence fabricant
IKW50N65RH5XKSA1
650 V 50 A PG-TO247-3 IGBT half-rated 6th gen CoolSiC diode
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :30 par Tube Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IKW50N65RH5XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IKW50N65RH5XKSA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/it/p/semiconductors--discretes--transistors--igbts/ikw50n65rh5xksa1-infineon-5172956
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Infineon IKW50N65RH5XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| CE Voltage-Max: | 650V |
| Collector Current @ 25C: | 80A |
| Power Dissipation-Tot: | 305W |
| Gate - Emitter Voltage: | 20V |
| Pulsed Collector Current: | 200A |
| Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.65V |
| Turn-on Delay Time: | 22ns |
| Turn-off Delay Time: | 180ns |
| Qg Gate Charge: | 120nC |
| Leakage Current: | 100nA |
| Input Capacitance: | 2660pF |
| Operating Temp Range: | -40°C to +175°C |
| No of Terminals: | 3 |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
30
$3.23
90
$3.19
150
$3.17
600
$3.11
900+
$3.07
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
30 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole