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Référence fabricant
GNP1150TCA-ZE2
650V 11A 150 mOhm N-ch DFN8080AK, E-mode Gallium-Nitride(GaN) FET
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3500 par Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2333 | ||||||||||
Product Specification Section
ROHM GNP1150TCA-ZE2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=GNP1150TCA-ZE2&field4=ROHM&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--gallium-nitride-mosfets-gan-mosfets/gnp1150tca-ze2-rohm-6174268
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ROHM GNP1150TCA-ZE2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Technology: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain Current: | 11A |
| No of Channels: | 1 |
| Qg Gate Charge: | 2.7nC |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 6V |
| Input Capacitance: | 112pF |
| Rated Power Dissipation: | 46.3W |
| Operating Temp Range: | 150°C |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
393
États-Unis:
393
Sur commande :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$7.46
15
$7.34
100
$7.26
400
$7.20
2 000+
$7.10
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3500 par
Méthode de montage :
Surface Mount