text.skipToContent text.skipToNavigation

Référence fabricant

BSZ900N20NS3GATMA1

Single N-Channel 200 V 90 mOhm 8.7 nC OptiMOS™ Power Mosfet - TSDSON-8

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Code de date:
Product Specification Section
Infineon BSZ900N20NS3GATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 200V
Drain-Source On Resistance-Max: 90mΩ
Rated Power Dissipation: 62.5|W
Qg Gate Charge: 8.7nC
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
52+Semaines
Commande minimale :
5000
Multiples de :
5000
Total 
2 150,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
5 000
$0.43
10 000
$0.425
15 000+
$0.42