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Référence fabricant
IQE022N06LM5CGATMA1
N-Channel 60 V 151 A 100 W 2.2 mOhm Surface Mount Mosfet - PG-TTFN-9-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :5000 par Style d'emballage :PG-TTFN-9 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2322 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IQE022N06LM5CGATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IQE022N06LM5CGATMA1&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/iqe022n06lm5cgatma1-infineon-5196406
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Infineon IQE022N06LM5CGATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.2mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 100W |
| Qg Gate Charge: | 53nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | ±20V |
| Drain Current: | 151A |
| Turn-on Delay Time: | 6.1ns |
| Turn-off Delay Time: | 26ns |
| Rise Time: | 4.1ns |
| Fall Time: | 5.9ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 2.3V |
| Technology: | Si |
| Input Capacitance: | 4420pF |
| Series: | OptiMOS™ 5 |
| Style d'emballage : | PG-TTFN-9 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
200
États-Unis:
200
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$2.31
20
$2.10
100
$1.99
500
$1.88
2 500+
$1.77
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par
Style d'emballage :
PG-TTFN-9
Méthode de montage :
Surface Mount