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Référence fabricant
DMT31M6LPS-13
30 V 35.8A 2.5W Surface Mount N-Channel MOSFET - PowerDI5060-8 (Type K)
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :2500 par Reel Style d'emballage :POWERDI5060-8 Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMT31M6LPS-13 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMT31M6LPS-13&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmt31m6lps-13-diodes-incorporated-7081473
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Diodes Incorporated DMT31M6LPS-13 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 30V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.35mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 2.5W |
| Qg Gate Charge: | 123nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 35.8A |
| Turn-on Delay Time: | 8.6ns |
| Turn-off Delay Time: | 71.5ns |
| Rise Time: | 20.2ns |
| Fall Time: | 42.3ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | Si |
| Input Capacitance: | 7019pF |
| Style d'emballage : | POWERDI5060-8 |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
2 500
$0.585
5 000
$0.58
7 500
$0.575
10 000
$0.57
12 500+
$0.565
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
2500 par Reel
Style d'emballage :
POWERDI5060-8
Méthode de montage :
Surface Mount