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Vishay | SIHP21N60EF-GE3

Référence fabricant

SIHP21N60EF-GE3

EF-Series N-Channel 600 V 227 W 0.176 Ω 84 nC Flange Mount Power Mosfet-TO-220AB

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Vishay
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Vishay SIHP21N60EF-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 600V
Drain-Source On Resistance-Max: 176mΩ
Rated Power Dissipation: 227|W
Qg Gate Charge: 56nC
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
10 000
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
50
tariff icon
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Total 
2 110,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$2.17
200
$2.14
750
$2.11
1 250
$2.09
2 500+
$2.06
Product Variant Information section