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Référence fabricant
IPB120P04P4L03ATMA2
P-Channel 40 V 3.1 mOhm 120 A 136 W SMT Power Transistor - PG-TO-263-3-2
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-3 (D2PAK) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2531 | ||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPB120P04P4L03ATMA2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB120P04P4L03ATMA2&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipb120p04p4l03atma2-infineon-2153449
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Infineon IPB120P04P4L03ATMA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | P-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 3.1mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 136W |
| Qg Gate Charge: | 180nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 16V |
| Drain Current: | 120A |
| Turn-on Delay Time: | 21ns |
| Turn-off Delay Time: | 85ns |
| Rise Time: | 16ns |
| Fall Time: | 57ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 1.7V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 11380pF |
| Series: | OptiMOS-P2 |
| Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
9 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$1.41
2 000
$1.40
4 000
$1.39
5 000+
$1.38
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount