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Référence fabricant
DMN6075S-7
Single N-Channel 60 V 120 mOhm 12.3 nC 0.8 W Silicon Mosfet - SOT-23
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2320 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMN6075S-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=DMN6075S-7&field4=Diodes Incorporated&field18=https://p1na.futureelectronics.com/it/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/dmn6075s-7-diodes-incorporated-1094300
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Diodes Incorporated DMN6075S-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 120MΩ |
| Rated Power Dissipation: | 0.8W |
| Qg Gate Charge: | 12.3nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 2.5A |
| Turn-on Delay Time: | 3.5ns |
| Turn-off Delay Time: | 35ns |
| Rise Time: | 4.1ns |
| Fall Time: | 11ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | Si |
| Height - Max: | 1mm |
| Length: | 3mm |
| Input Capacitance: | 606pF |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
90 000
États-Unis:
90 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
24 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0642
9 000
$0.0626
15 000
$0.0619
60 000
$0.0601
90 000+
$0.0589
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount