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Référence fabricant
IPB180N06S4H1ATMA2
N-Channel 60 V 1.7 mOhm 270 nC SMT OptiMOS™ Power-Transistor - PG-TO263-7-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Reel Style d'emballage :TO-263-7 (D2PAK7) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IPB180N06S4H1ATMA2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=IPB180N06S4H1ATMA2&field4=Infineon&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/ipb180n06s4h1atma2-infineon-5200401
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Infineon IPB180N06S4H1ATMA2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 1.7mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 250W |
| Qg Gate Charge: | 208nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 180A |
| Turn-on Delay Time: | 30ns |
| Turn-off Delay Time: | 60ns |
| Rise Time: | 5ns |
| Fall Time: | 15ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 3V |
| Technology: | OptiMOS |
| Input Capacitance: | 16840pF |
| Style d'emballage : | TO-263-7 (D2PAK7) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
9 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1 000
$2.01
2 000
$2.00
3 000
$1.99
4 000+
$1.98
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-7 (D2PAK7)
Méthode de montage :
Surface Mount