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Référence fabricant
IRF250
IRF250 Series 200 V 0.085 Ohm Through Hole N-Channel Hexfet Transistor - TO-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :100 par Tray Style d'emballage :TO-3 (TO-204) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IRF250 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IRF250 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 200V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.085Ω |
| Rated Power Dissipation: | 150|W |
| Qg Gate Charge: | 115nC |
| Style d'emballage : | TO-3 (TO-204) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
100+
$24.00
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
100 par Tray
Style d'emballage :
TO-3 (TO-204)
Méthode de montage :
Through Hole