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Référence fabricant
STP180N4F6
N-Channel 40 V 2.7 mOhm 190 W STripFET™ F6 Power Mosfet - TO-220
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :50 par Tube Style d'emballage :TO-220-3 (TO-220AB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STP180N4F6 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STP180N4F6&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/es/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stp180n4f6-stmicroelectronics-4087533
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STMicroelectronics STP180N4F6 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 2.7mΩ |
| Rated Power Dissipation: | 190|W |
| Qg Gate Charge: | 130nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
| Drain Current: | 120A |
| Turn-on Delay Time: | 24ns |
| Turn-off Delay Time: | 106ns |
| Rise Time: | 150ns |
| Fall Time: | 57ns |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Gate Source Threshold: | 4.5V |
| Height - Max: | 9.15mm |
| Length: | 10.4mm |
| Input Capacitance: | 7735pF |
| Style d'emballage : | TO-220-3 (TO-220AB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
26 Semaines
Quantité
Prix unitaire
50
$0.875
200
$0.85
1 000
$0.825
2 000
$0.815
6 250+
$0.785
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
50 par Tube
Style d'emballage :
TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage :
Through Hole