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Référence fabricant
STF21NM60ND
N-Channel 600 V 220 mOhm Flange Mount FDmesh II Power Mosfet - TO-220FP
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| Nom du fabricant: | STMicroelectronics | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1000 par Tube Style d'emballage :TO-220FP (TO-220FPAB) Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | 1720 | ||||||||||
Product Specification Section
STMicroelectronics STF21NM60ND - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
- https://futureelec.wufoo.com/forms/?formname=r8bzou01ws8brs&field12=NA&field16=fr&field2=STF21NM60ND&field4=STMicroelectronics&field18=https://p1na.futureelectronics.com/fr/p/semiconductors--discretes--transistors--mosfets/stf21nm60nd-stmicroelectronics-9100024
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STMicroelectronics STF21NM60ND - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| No of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 0.22Ω |
| Rated Power Dissipation: | 30W |
| Qg Gate Charge: | 60nC |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 25V |
| Drain Current: | 17A |
| Turn-on Delay Time: | 18ns |
| Turn-off Delay Time: | 70ns |
| Rise Time: | 16ns |
| Fall Time: | 48ns |
| Gate Source Threshold: | 4V |
| Input Capacitance: | 1800pF |
| Style d'emballage : | TO-220FP (TO-220FPAB) |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
500
États-Unis:
500
Sur commande :
0
Délai d'usine :
N/A
Quantité
Prix unitaire
1
$1.04
40
$1.01
200
$0.975
750
$0.95
3 000+
$0.90
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Tube
Style d'emballage :
TO-220FP (TO-220FPAB)
Méthode de montage :
Through Hole